NP82N10PUF-E1-AY
Renesas
Deutsch
Artikelnummer: | NP82N10PUF-E1-AY |
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Hersteller / Marke: | Renesas Electronics Corporation |
Teil der Beschreibung.: | NP82N10PUF-E1-AY - MOS FIELD EFF |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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121+ | $2.49 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-263-3 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 41A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1.8W (Ta), 150W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | 175°C |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4350 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 96 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5.8V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 82A (Tc) |
NP82N10PUF-E1-AY Einzelheiten PDF [English] | NP82N10PUF-E1-AY PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() NP82N10PUF-E1-AYRenesas |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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